AI Chip ထုပ်ပိုးမှုအတွက် ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးသော ဆီလီကွန်ဂျယ်

အထူးဆီလီကွန်ပစ္စည်း ပေးသွင်းသူတစ်ဦးသည် 2.5D နှင့် 3D အဆင့်မြင့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှုများအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော low-dielectric-loss silicone gel ကို ယခုသီတင်းပတ်တွင် စတင်မိတ်ဆက်ခဲ့သည်။ ပလက်တီနမ်-ကုစားထားသော ဂျယ်တွင် အလွန်နိမ့်သော စိမ့်ဝင်မှုဆိုင်ရာအချက်၊ အပူချဲ့မှုနည်းခြင်းနှင့် ပျော့ပျောင်းသောဖိစီးမှုကို စုပ်ယူနိုင်သော ဂုဏ်သတ္တိများ ပါ၀င်ပြီး လှိုင်းမြင့်မှတ်ဉာဏ်နှင့် AI ကွန်ပြူတာ ချစ်ပ်များကို အပူစက်ဘီးစီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ သမားရိုးကျ အီလက်ထရွန်းနစ် အိုးထရက်ဖို့ဒ် ဆီလီကွန်နှင့် မတူဘဲ၊ ဤအဆင့်သည် မျိုးဆက်သစ် ဒေတာစင်တာ ပရိုဆက်ဆာများအတွက် အရေးကြီးသော လိုအပ်ချက်ဖြစ်သော မြင့်မားသော GHz ကြိမ်နှုန်းတွင် အချက်ပြနှောင့်ယှက်မှုကို ရှောင်ကြဉ်ပါသည်။ ၎င်းသည် လေ၀င်ပေါက်ခြင်းမရှိဘဲ micro ကွက်လပ်များကို အလွယ်တကူ ဖြည့်သွင်းနိုင်ပြီး တသမတ်တည်းလျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်မှုကို -55°C မှ 165°C အထိ ထိန်းသိမ်းပေးသည်။ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း ထုပ်ပိုးထုတ်လုပ်သူများသည် ယခင်က နာရီပေါင်းများစွာ လည်ပတ်ပြီးနောက်တွင် အချက်ပြမှု လျော့ပါးလာပြီး ကွဲအက်စေသည့် စံဆီလီကွန်ပစ္စည်းများနှင့် ရုန်းကန်ခဲ့ရသည်။ ဤဖော်မြူလာအသစ်သည် လေးလံသောအဖြည့်ခံအစုများမပါဘဲ သန့်စင်ထားသော လိုင်းနားဆီလီကွန်ပိုလီမာများကို အသုံးပြုထားပြီး အလိုအလျောက် ဖြန့်ဝေပေးခြင်းနှင့် အခန်းအပူချိန်ကို မြန်ဆန်စွာ ကုသပေးခြင်းတို့ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ အာရှနှင့် မြောက်အမေရိကမှ စက်မှုလက်မှုဝယ်သူများသည် ဆာဗာချစ်ပ်မော်ဂျူးများအတွက် နမူနာအရည်အချင်းကို စတင်ကြသည်။ အဆင့်မြင့်ထုပ်ပိုးမှုများအတွက် ဆုံးရှုံးမှုနည်းသော ဆီလီကွန်သည် 2027 ခုနှစ်အထိ AI ဆာဗာများ ဖြန့်ကျက်မှု ချဲ့ထွင်လာသည်နှင့်အမျှ ဂဏန်းနှစ်လုံးဝယ်လိုအား တိုးလာမည်ဟု ခန့်မှန်းထားသည်။